产品名称：低压MOS管IRLML6401

IRLML6401是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和1μA连续漏极电流（Id）。此外，它还具有450mW的功率（Pd）和70mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在4.5V的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为10V。

该器件采用SOT-23封装，具有小尺寸和高性能，适合在低压应用中使用。

特点：

- 高效率：具有低导通电阻和低阈值电压，能够减少功率损耗和热量产生。

- 低压操作：30V漏源电压和10V阈值电压，适用于低压应用。

- 高稳定性：具有稳定的电气特性和封装，保证长期可靠性。

- 小封装：采用SOT-23封装，具有小尺寸和高性能，适合在高密度PCB设计中使用。

应用：

IRLML6401适用于低压开关电源、电机驱动器、DC/DC转换器、LED照明、电池保护和其他低压应用。

注意事项：

- 在使用前请仔细阅读产品规格书，并按照规定的条件进行使用。

- 使用时请注意防静电，以避免器件损坏。

- 器件热量较大，使用时请注意散热。