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技术交流

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走进晶圆厂,深入了解芯片制造流程
  • 更新日期: 2022-04-14
  • 浏览次数: 1643
有些晶体管的尺寸超过500亿个,这些晶体管比人类头发丝的宽度还小1万倍。它们是在巨大的超洁净厂房地板上制作的,可达七层楼高,长度相当于四个足球场。 微芯片在许多方面都是现代经济的命脉。它们为电脑、智能手机、汽车、电器和其他许多电子产品提供动力。但自疫情以来,世界对它们的需求激增,这也导致供应链中断,导致全……
基带、射频,到底是干什么用的?
  • 更新日期: 2022-04-14
  • 浏览次数: 1781
现在都流行“端到端”,我们就以手机通话为例,观察信号从手机到基站的整个过程,来看看基带和射频到底是干什么用的。 当手机通话接通后,人的声音会通过手机麦克风拾音,变成电信号。这个电信号,是模拟信号,我们也可以称之为原始信号。 声波(机械波)转换成电信号 此时,我们的第一个……
集成的尺度和维度
  • 更新日期: 2022-04-01
  • 浏览次数: 1767
集成(integration),是指将不同的单元汇聚到一起,并能实现其特定功能的过程,集成多指人类的活动,而非自然的过程。而集成电路、系统集成是比较常见的名词。 本文围绕集成的尺度(Scale)和维度(Dimension)两方面来剖析现代电子集成技术。推荐给大家。
解析 | 浅析大陆电驱动系统EMR4
  • 更新日期: 2022-04-01
  • 浏览次数: 2532
1. 前言 随着电动汽车在市场上的显著加速,品牌、细分市场和车型的差异也在不断增加,最大限度地扩大电驱动系统适用性就显得及其重要。电驱动系统,如大批量生产的EMR3(第三代电驱动系统)和目前正在开发的EMR4,在系统级采用了多标准优化方法进行设计。与上一代相比,EMR4提高了高达5%的效率……
开关电源内部的各种损耗
  • 更新日期: 2022-04-01
  • 浏览次数: 2253
开关电源内部主要损耗要提高开关电源的效率,就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面:开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损耗通常会在有损元器件中同时出现,下面将分别讨论。 与功率开关有关的损耗 ……
新能源汽车电机控制器 IGBT 模块的驱动技术
  • 更新日期: 2022-04-01
  • 浏览次数: 2719
本文介绍了大型电动汽车中,电机控制器IGBT模块驱动电路的设计思路,阐述了IGBT模块的特性、栅极驱动电路的设计与保护,以及IGBT模块在正常工作中的电流、电压、温度保护,并提供了相应的设计原理和验证方案。 1. 引 言 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅……
Boost升压电路原理及设计详解
  • 更新日期: 2022-03-30
  • 浏览次数: 5239
Boost电路是一种开关直流升压电路,它能够使输出电压高于输入电压。在电子电路设计当中算是一种较为常见的电路设计方式。本文将给大家介绍boost基本原理、电路参数设计。 首先我们需要知道: 电容阻碍电压变化,通高频,阻低频,通交流,阻直流; 电感阻碍电流变化,通低频,阻高频,通直流,阻交流;
IGBT的耗散功率有多大?
  • 更新日期: 2022-03-30
  • 浏览次数: 3749
前 言 ……
大陆电驱系统EMR4分析
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 浏览次数: 2351
1. 前言 随着电动汽车在市场上的显著加速,品牌、细分市场和车型的差异也在不断增加,最大限度地扩大电驱动系统适用性就显得及其重要。电驱动系统,如大批量生产的EMR3(第三代电驱动系统)和目前正在开发的EMR4,在系统级采用了多标准优化方法进行设计。与上一代相比,EMR4提高了高达5%的效率,显著提升了功率可扩展性,并……
芯片设计面临很多挑战,但是如何解决IP复用和集成问题?
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 浏览次数: 1723
汽车、人工智能(AI)、数据处理和智能终端等领域对半导体芯片的强劲需求不断加速半导体产业的发展,预计到2030年将激增至8085亿美元。 ,普华永道预测,2022年仅AI相关的半导体市场收入就将增长到300亿美元以上,年增长率高达50%。 与此同时,半导体芯片变得更小、更快、更强大,并且在灵活性和功能性方……
运算放大器与比较器相比有何不同之处
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 浏览次数: 2453
运算放大器和比较器在外观和原理图符号上很相似,如果对标志进行打磨,很难区分两者。 此外,许多初学者经常将运算放大器与比较器混淆,因为在某些应用中,运算放大器在许多电路中用作比较器。 本文分享了这些差异。 图1 运放管脚示意图 运放和比较器的功能表述如下 运算放大器,是一种用于信号调理的模拟……
MOS管发热通常是哪些原因导致的
  • 更新日期: 2022-03-18
  • 浏览次数: 10558
MOS管发热是电路中常见的问题,经常困扰着我们,接下来小编总结出了几个MOS管发热的问题及原因: MOS发热有哪些原因,110不怎么热,220V输入时热的很 问题不够详细,不过mos管发热一般有这么几种:1.负载过重,导致mos管过流发热。2.推动激励信号不足,导致mos管发热。3.激励信号过强,也会导致mos管发热。一般mos管工作温度都在120摄氏度以下,都可以工作的。 一般都不会超过70度吧 不是的,大部分的mos管最高工作温度都在120度以下,不过不是绝对的,也有工作温度低

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