晶体管类型: PNP

集射极击穿电压(Vceo): 65V

集电极电流(Ic): 100mA

功率(Pd): 200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@100mA,5mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 220@2mA,5V

特征频率(fT): 100MHz

工作温度: +150℃@(Tj)