晶体管类型: PNP

集射极击穿电压(Vceo): 300V

集电极电流(Ic): 200mA

功率(Pd): 300mW

集电极截止电流(Icbo): 250nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 200mV@20mA,2mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@10mA,10V

特征频率(fT): 50MHz

工作温度: +150℃@(Tj)