晶体管类型: PNP

集射极击穿电压(Vceo): 45V

集电极电流(Ic)Z: 100mA

功率(Pd): 200mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@100mA,10mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 200@1mA,5V

特征频率(fT): 150MHz

工作温度: +150℃@(Tj)