晶体管类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 15V

集电极电流(Ic): 50mA

功率(Pd): 200mW

集电极截止电流(Icbo): 50nA

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@10mA,1mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 70@1mA,5V

特征频率(fT): 800MHz

工作温度: +150℃@(Tj)