晶体管类型:NPN

集射极击穿电压(Vceo):40V

集电极电流(Ic):200mA

功率(Pd):150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V

特征频率(fT):300MHz

工作温度:+150℃@(Tj)