晶体管类型: PNP

集射极击穿电压(Vceo): 40V

集电极电流(Ic): 200mA

功率(Pd): 150mW

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@50mA,5mA

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@10mA,10V

特征频率(fT): 250MHz

工作温度: +150℃@(Tj)